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  • 商品名稱: 反應燒結碳化硅
  • 商品編號: 102
  • 上架時間: 2012-09-12
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反壓燒結碳化硅(SiC)

    反應燒結碳化硅是通過反應燒結亞微米碳化硅粉末加入游離硅(含量小于12%)在1500℃真空燒結爐與游離硅反應燒結而成。其材料增加了潤滑性、摩擦系數小、耐磨性、可塑性強等特點,其密封環最大外徑可達800mm。被廣泛運用于軸承、石油、化工、汽車、船舶、泵閥等領域。

 

 

 

特點

反應燒結碳化硅材料晶像圖。在材料平整光滑的斷切面經過化學處理,在200X光學顯微鏡下的晶體的分布均勻、大小勻稱,游離硅含量(不超過12%)。

反應燒結碳化硅材料技術參數

Reaction Bonded Silicon Carbide Technical Data

項目

Operating Limits

單位

Units

SiC
體積密度

Volume Density

g/cm³ 3.03

維氏硬度

Vickers Hardness

HV0.5 2000

洛氏硬度

Rockwell Hardness

HRA 90
顯氣孔率

Indicated Parosity

% <0.2
抗壓強度

Compressive Strength

Mpa 2000
彎曲強度

Transverse Strength

Mpa 350
彈性模量

Elastic Modulus

Gpa 350
導熱系數

Thermal Conductivity

W/m*k 30~130
最高使用溫度

Maximum Temperature

1000
線熱膨脹系數

Coefficient Of Heat Expansion

10-6*1/℃ 4.0-5.0
表面氣孔率

Porosity

個/5c㎡ 5
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